随着芯片尺寸的逐渐缩小,电场强度却随距离的减小而线性增加。若电源电压保持不变,产生的电场强度将足以击穿芯片,这无疑对电子系统的电源电压提出了更为严苛的要求。银联宝氮化镓电源ic U8726AHE集成高压E-GaN、集成高压启动电路,减少外围元件,适配快速充电器和适配器等电源设备。
集成Boost供电电路
针对宽输出电压应用场合,为了满足VDD的宽电压应用需求,往往需要添加额外的电路或者辅助绕组,导致系统功耗和电路成本的增加。氮化镓电源ic U8726AHE集成了Boost供电技术,仅在SW管脚添加一颗贴片电感即可,在输出电压较低时,Boost电路启动工作,维持VDD电压在VBOOST_REG (典型值10.1V),当输出电压升高,辅助绕组电压高于VBOOST_REG时,Boost电路停止工作,VDD由辅助绕组供电。
管脚定义
氮化镓电源ic U8726AHE封装形式ESOP-7,脚位如下:
1 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚
2 FB I 系统反馈输入管脚
3 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测、驱动能力分档判定管脚
4 VDD P 芯片供电管脚
5 SW P Boost 电路内置 MOS 的漏极管脚
6 GND P 芯片参考地
7 DRAIN P 内置高压 GaN FET 漏极、高压启动供电管脚
最高工作频率设定
氮化镓电源ic U8726AHE复用CS管脚以设定系统最高工作频率,CS管脚连接如图所示。芯片启动时,U8726AHE通过检测RSEL电阻从而决定芯片最大工作频率。设定不同的RSEL电阻值即可选择两档不同的系统工作频率上限。选档判定结束后系统锁定,每一次启动都伴随一次判定。推荐的RSEL电阻值与最大工作频率的关系见表。
银联宝氮化镓电源ic U8726AHE可获得快速启动功能和超低的工作电流,实现小于30mW的超低待机功耗,负责电能的转换、分配、监控以及整体电能管理,确保设备的稳定运行和高效电能利用,非常适用于宽输出电压的应用场景!